Samsung prépare sa mémoire Flash NAND gravée en 60 nm


  samsung prépare sa mémoire Flash NAND gravée en 60 nmSamsung nous prouve une fois de plus qu’il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l’innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d’annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (…) Cette nouvelle cellule est gravée en 60 nm permet de fabriquer des méoires d’une capacité de près de 8 Go. Par la mise côte à côte de deux modules de mémoire 4 Go. Constitués eux mêmes de 4 die de 8 Gbits. Selon certaines rumeurs on pourrait voir apparaître un iPod utilisant ce type de mémoire.

Samsung annonce également que cette nouvelle finesse de gravure en 60 nm, on a un rendement 25 % supérieur à la normale a la sortie d’usine. Samsung ne compte pas s’arrêter là et pense également intégrer ces nouvelles puces sous la dénomination moviNAND qui peuvent atteindre les 2 Go et qui seront surtout destinés aux télépones portables.

 Samsung prépare sa mémoire Flash NAND gravée en 60 nm

Beugré Jean-Augustin

CEO, Editor in Chief & Founder at Le Journal du Numérique since more than 10 years now - Je suis le CEO, Rédacteur en Chef et Fondateur du réseau Kassi Media regroupant les sites, Le Journal du Numérique, Actu-Gamer, ZoneWP et Journal-Foot.com. Autodidacte de nature, je me forme régulièrement dans le Marketing Digital, la gestion de projet, de même que dans ce qui touche au Community Management, au Developpement Web. Cela fait maintenant 15 sur le web, avec plus 10 ans d'expérience dans le rédaction web, Community Management, le webmastering et le SEO (Référencement naturel).